本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。
本标准适用于晶向为<111>.<100>或<110>.电阻率为10-3 2●cm~10● 2. cm、 位错密度在0cm-2~105cm-z之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验.
本方法也适用于硅单晶片。
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GB/T 1554-2009 pdf下载 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
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