本标准适用于三氯氢硅及四氯化硅氢还原在细硅芯上沉积硅多晶所生长出来的硅多晶棒。
检测杂质浓度有效范围0.02 ~ 20 ppba。
N型电阻率范围10 ~ 2000.cm。
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GB/T 4059-1983 pdf下载 硅多晶气氛区熔磷检验方法
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